3月13日消息 三星電(dià如理n)子和台積電(diàn)目前都計劃開(kāi)展 3nm 愛答制程工(gōng)藝研發。據外(wài)媒 TomsHard聽畫ware 消息，三星在 IEEE 國際固态電(dià離店n)路會議（ISSCC）上，三星工(gōn民影g)程師分(fēn)享了即将推出的 3nm GAE&nb劇個sp;MBCFET 芯片的制造細節。

GAAFET 晶體(tǐ)管（閘極全環場效晶體(tǐ)管）吧草從構造上有兩種形态，是目前 FinFET 的升級版。三星表示傳統的 GAAF間子ET 工(gōng)藝采用三層納米線來構造晶樹看體(tǐ)管，栅極比較薄；而三星 MBCFET 工(gōng)藝店亮使用納米片構造晶體(tǐ)管，三星已經為 MBCFET 注冊了商(shāng)标。三星表作花示，這兩種方式都可以實現 3nm，但取決于具體(tǐ)設計。 熱拍

第一(yī)種 GAAFET 晶體(tǐ秒木)管的想法早在 1988 年便被提出，這項技術允許設計者通過調整晶體(tǐ)來歌管通道的寬度來精确控制性能和功耗。較寬的材料便于在大(dà)功率下人街(xià)獲得更高的性能；而較薄的材料可以降低功耗，但是報妹性能受影響。

IT之家了解到，三星于 2019 年便展現了 3GAE綠熱 工(gōng)藝的原理。三星表示，與 7LPP 技術相比，3G來水AE 能夠實現 30% 的性能改進，功率降低 50%，此外(wài)晶體(師唱tǐ)管密度可以提升 80%。